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Ieee Transactions On Nanotechnology

IEEE納米技術(shù)匯刊
國際簡稱:IEEE T NANOTECHNOL

Ieee Transactions On Nanotechnology

SCIE

按雜志級別劃分: 中科院1區(qū) 中科院2區(qū) 中科院3區(qū) 中科院4區(qū)

  • 4區(qū) 中科院分區(qū)
  • Q3 JCR分區(qū)
  • 109 年發(fā)文量
  • 100.00% 研究類文章占比
  • 8.41% Gold OA文章占比
ISSN:1536-125X
創(chuàng)刊時間:2002
是否預(yù)警:否
E-ISSN:1941-0085
出版地區(qū):UNITED STATES
是否OA:未開放
出版語言:English
出版周期:Quarterly
影響因子:2.1
出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
審稿周期: 約3.0個月
CiteScore:4.8
H-index:73
出版國人文章占比:0.2
開源占比:0.1101
文章自引率:0.0833...

Ieee Transactions On Nanotechnology雜志簡介

Ieee Transactions On Nanotechnology是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商主辦的工程技術(shù)領(lǐng)域的專業(yè)學(xué)術(shù)期刊,自2002年創(chuàng)刊以來,一直以高質(zhì)量的內(nèi)容贏得業(yè)界的尊重。該期刊擁有正式的刊號(ISSN:1536-125X,E-ISSN:1941-0085),出版周期Quarterly,其出版地區(qū)設(shè)在UNITED STATES。該期刊的核心使命旨在推動工程技術(shù)專業(yè)及ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC學(xué)科界的教育研究與實踐經(jīng)驗的交流,發(fā)表同行有創(chuàng)見的學(xué)術(shù)論文,提倡學(xué)術(shù)爭鳴,激發(fā)學(xué)術(shù)創(chuàng)新,開展國際間學(xué)術(shù)交流,為工程技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展注入活力。

該期刊文章自引率0.0833...,開源內(nèi)容占比0.1101,出版撤稿占比0,OA被引用占比0,讀者群體主要包括工程技術(shù)的專業(yè)人員,研究生、本科生以及工程技術(shù)領(lǐng)域愛好者,這些讀者群體來自全球各地,具有廣泛的學(xué)術(shù)背景和興趣。Ieee Transactions On Nanotechnology已被國際權(quán)威學(xué)術(shù)數(shù)據(jù)庫“ SCIE(Science Citation Index Expanded) ”收錄,方便全球范圍內(nèi)的學(xué)者和研究人員檢索和引用,有助于推動ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領(lǐng)域的研究進展和創(chuàng)新發(fā)展。

CiteScore(2024年最新版)

  • CiteScore:4.8
  • SJR:0.435
  • SNIP:0.783
學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 278 / 797

65%

大類:Engineering 小類:Computer Science Applications Q2 330 / 817

59%

CiteScore: 這一創(chuàng)新指標力求提供更為全面且精確的期刊評估,打破了過去僅依賴單一指標如影響因子的局限。它通過綜合廣泛的引用數(shù)據(jù),跨越多個學(xué)科領(lǐng)域,從而確保了更高的透明度和開放性。作為Scopus中一系列期刊指標的重要組成部分,包括SNIP(源文檔標準化影響)、SJR(SCImago雜志排名)、引用文檔計數(shù)以及引用百分比。Scopus整合以上指標,幫助研究者深入了解超過22,220種論著的引用情況。您可在Scopus Joumal Metrics website了解各個指標的詳細信息。

CiteScore分區(qū)值與影響因子值數(shù)據(jù)對比

Ieee Transactions On Nanotechnology中科院分區(qū)表

中科院分區(qū) 2023年12月升級版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2022年12月升級版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月舊的升級版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月基礎(chǔ)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月升級版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2020年12月舊的升級版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū)表歷年分布趨勢圖

WOS期刊JCR分區(qū)(2023-2024年最新版)

按JIF指標學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 192 / 352

45.6%

學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 286 / 438

34.8%

學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 105 / 140

25.4%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 109 / 179

39.4%

按JCI指標學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 200 / 354

43.64%

學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 255 / 438

41.89%

學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 82 / 140

41.79%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 106 / 179

41.06%

JCR(Journal Citation Reports)分區(qū),也被稱為JCR期刊分區(qū),是由湯森路透公司(現(xiàn)在屬于科睿唯安公司)制定的一種國際通用和公認的期刊分區(qū)標準。JCR分區(qū)基于SCI數(shù)據(jù)庫,按照期刊的影響因子進行排序,按照類似等分的方式將期刊劃分為四個區(qū):Q1、Q2、Q3和Q4。需要注意的是,JCR分區(qū)的標準與中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))存在不同之處。例如,兩者的分區(qū)數(shù)量不同,JCR分為四個區(qū),而中科院分區(qū)則分為176個學(xué)科,每個學(xué)科又按照影響因子高低分為四個區(qū)。此外,兩者的影響因子取值范圍也存在差異。

歷年發(fā)文數(shù)據(jù)

年份 年發(fā)文量
2014 161
2015 142
2016 124
2017 147
2018 180
2019 129
2020 121
2021 118
2022 106
2023 109

期刊互引關(guān)系

被他刊引用情況
期刊名稱 引用次數(shù)
IEEE T NANOTECHNOL 128
IEEE ACCESS 89
IEEE T ELECTRON DEV 88
MICROELECTRON J 47
IEEE SENS J 44
NANOTECHNOLOGY 42
MICROSYST TECHNOL 38
IEEE T VLSI SYST 37
J ELECTRON MATER 37
MATER RES EXPRESS 36
引用他刊情況
期刊名稱 引用次數(shù)
APPL PHYS LETT 177
IEEE T ELECTRON DEV 134
IEEE T NANOTECHNOL 128
NANO LETT 107
J APPL PHYS 100
ACS NANO 91
NATURE 90
SCIENCE 77
SENSOR ACTUAT B-CHEM 74
IEEE ELECTR DEVICE L 70
若用戶需要出版服務(wù),請聯(lián)系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。

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