Ieee Transactions On Electron Devices

SCIE

按雜志級(jí)別劃分： 中科院1區(qū) 中科院2區(qū) 中科院3區(qū) 中科院4區(qū)

2區(qū) 中科院分區(qū)
Q2 JCR分區(qū)
1084 年發(fā)文量
100.00% 研究類文章占比
6.38% Gold OA文章占比

ISSN：0018-9383

創(chuàng)刊時(shí)間：1954

是否預(yù)警：否

E-ISSN：1557-9646

出版地區(qū)：UNITED STATES

是否OA：未開(kāi)放

出版語(yǔ)言：English

出版周期：Monthly

影響因子：2.9

出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

審稿周期：約4.7個(gè)月

CiteScore：5.8

H-index：165

出版國(guó)人文章占比：0.22

開(kāi)源占比：0.0674

文章自引率：0.1612...

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Ieee Transactions On Electron Devices雜志簡(jiǎn)介

Ieee Transactions On Electron Devices是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商主辦的工程技術(shù)領(lǐng)域的專業(yè)學(xué)術(shù)期刊，自1954年創(chuàng)刊以來(lái)，一直以高質(zhì)量的內(nèi)容贏得業(yè)界的尊重。該期刊擁有正式的刊號(hào)（ISSN：0018-9383，E-ISSN：1557-9646），出版周期Monthly，其出版地區(qū)設(shè)在UNITED STATES。該期刊的核心使命旨在推動(dòng)工程技術(shù)專業(yè)及PHYSICS, APPLIED學(xué)科界的教育研究與實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的交流，發(fā)表同行有創(chuàng)見(jiàn)的學(xué)術(shù)論文，提倡學(xué)術(shù)爭(zhēng)鳴，激發(fā)學(xué)術(shù)創(chuàng)新，開(kāi)展國(guó)際間學(xué)術(shù)交流，為工程技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展注入活力。

該期刊文章自引率0.1612...，開(kāi)源內(nèi)容占比0.0674，出版撤稿占比0，OA被引用占比0.0017...，讀者群體主要包括工程技術(shù)的專業(yè)人員，研究生、本科生以及工程技術(shù)領(lǐng)域愛(ài)好者，這些讀者群體來(lái)自全球各地，具有廣泛的學(xué)術(shù)背景和興趣。Ieee Transactions On Electron Devices已被國(guó)際權(quán)威學(xué)術(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)“ SCIE（Science Citation Index Expanded） ”收錄，方便全球范圍內(nèi)的學(xué)者和研究人員檢索和引用，有助于推動(dòng)PHYSICS, APPLIED領(lǐng)域的研究進(jìn)展和創(chuàng)新發(fā)展。

收錄信息

SCIE（科學(xué)引文索引擴(kuò)展板）

CiteScore（2024年最新版）

CiteScore：5.8
SJR：0.785
SNIP：1.223

學(xué)科類別	分區(qū)	排名	百分位
大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering	Q2	221 / 797	72%
大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q2	82 / 284	71%

CiteScore: 這一創(chuàng)新指標(biāo)力求提供更為全面且精確的期刊評(píng)估，打破了過(guò)去僅依賴單一指標(biāo)如影響因子的局限。它通過(guò)綜合廣泛的引用數(shù)據(jù)，跨越多個(gè)學(xué)科領(lǐng)域，從而確保了更高的透明度和開(kāi)放性。作為Scopus中一系列期刊指標(biāo)的重要組成部分，包括SNIP（源文檔標(biāo)準(zhǔn)化影響）、SJR（SCImago雜志排名）、引用文檔計(jì)數(shù)以及引用百分比。Scopus整合以上指標(biāo)，幫助研究者深入了解超過(guò)22,220種論著的引用情況。您可在Scopus Joumal Metrics website了解各個(gè)指標(biāo)的詳細(xì)信息。

CiteScore分區(qū)值與影響因子值數(shù)據(jù)對(duì)比

Ieee Transactions On Electron Devices中科院分區(qū)表

中科院分區(qū) 2023年12月升級(jí)版

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	2區(qū)	PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區(qū) 3區(qū)	否	否

中科院分區(qū) 2022年12月升級(jí)版

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	2區(qū)	PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區(qū) 3區(qū)	否	否

中科院分區(qū) 2021年12月舊的升級(jí)版

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	2區(qū)	PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區(qū) 3區(qū)	否	否

中科院分區(qū) 2021年12月基礎(chǔ)版

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	3區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	3區(qū) 3區(qū)	否	否

中科院分區(qū) 2021年12月升級(jí)版

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	2區(qū)	PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區(qū) 3區(qū)	否	否

中科院分區(qū) 2020年12月舊的升級(jí)版

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	2區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	2區(qū) 2區(qū)	是	否

中科院分區(qū)表歷年分布趨勢(shì)圖

WOS期刊JCR分區(qū)（2023-2024年最新版）

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	143 / 352	59.5%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	68 / 179	62.3%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	145 / 354	59.18%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	61 / 179	66.2%

JCR（Journal Citation Reports）分區(qū)，也被稱為JCR期刊分區(qū)，是由湯森路透公司（現(xiàn)在屬于科睿唯安公司）制定的一種國(guó)際通用和公認(rèn)的期刊分區(qū)標(biāo)準(zhǔn)。JCR分區(qū)基于SCI數(shù)據(jù)庫(kù)，按照期刊的影響因子進(jìn)行排序，按照類似等分的方式將期刊劃分為四個(gè)區(qū)：Q1、Q2、Q3和Q4。需要注意的是，JCR分區(qū)的標(biāo)準(zhǔn)與中科院JCR期刊分區(qū)（又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）存在不同之處。例如，兩者的分區(qū)數(shù)量不同，JCR分為四個(gè)區(qū)，而中科院分區(qū)則分為176個(gè)學(xué)科，每個(gè)學(xué)科又按照影響因子高低分為四個(gè)區(qū)。此外，兩者的影響因子取值范圍也存在差異。

歷年發(fā)文數(shù)據(jù)

年份	年發(fā)文量
2014	629
2015	633
2016	737
2017	759
2018	789
2019	802
2020	878
2021	1129
2022	1093
2023	1084

期刊互引關(guān)系

被他刊引用情況
期刊名稱	引用次數(shù)
IEEE T ELECTRON DEV	3214
IEEE ELECTR DEVICE L	865
JPN J APPL PHYS	565
IEEE J ELECTRON DEVI	499
SOLID STATE ELECTRON	431
IEEE ACCESS	422
SEMICOND SCI TECH	412
J APPL PHYS	400
APPL PHYS LETT	388
J COMPUT ELECTRON	284

引用他刊情況
期刊名稱	引用次數(shù)
IEEE T ELECTRON DEV	3214
IEEE ELECTR DEVICE L	1587
APPL PHYS LETT	1366
J APPL PHYS	866
SOLID STATE ELECTRON	384
PHYS REV B	305
ADV MATER	238
MICROELECTRON RELIAB	235
NANO LETT	209
ACS APPL MATER INTER	195