Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

SCIE

按雜志級別劃分： 中科院1區(qū) 中科院2區(qū) 中科院3區(qū) 中科院4區(qū)

3區(qū) 中科院分區(qū)
Q2 JCR分區(qū)
72 年發(fā)文量
97.22% 研究類文章占比
24.52% Gold OA文章占比

ISSN：1530-4388

創(chuàng)刊時間：2001

是否預(yù)警：否

E-ISSN：1558-2574

出版地區(qū)：UNITED STATES

是否OA：未開放

出版語言：English

出版周期：Quarterly

影響因子：2.5

出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

審稿周期：較慢,6-12周

CiteScore：4.8

H-index：63

出版國人文章占比：0.14

開源占比：0.057

文章自引率：0.05

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Ieee Transactions On Device And Materials Reliability雜志簡介

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商主辦的工程技術(shù)領(lǐng)域的專業(yè)學(xué)術(shù)期刊，自2001年創(chuàng)刊以來，一直以高質(zhì)量的內(nèi)容贏得業(yè)界的尊重。該期刊擁有正式的刊號（ISSN：1530-4388，E-ISSN：1558-2574），出版周期Quarterly，其出版地區(qū)設(shè)在UNITED STATES。該期刊的核心使命旨在推動工程技術(shù)專業(yè)及ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC學(xué)科界的教育研究與實踐經(jīng)驗的交流，發(fā)表同行有創(chuàng)見的學(xué)術(shù)論文，提倡學(xué)術(shù)爭鳴，激發(fā)學(xué)術(shù)創(chuàng)新，開展國際間學(xué)術(shù)交流，為工程技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展注入活力。

該期刊文章自引率0.05，開源內(nèi)容占比0.057，出版撤稿占比0，OA被引用占比0，讀者群體主要包括工程技術(shù)的專業(yè)人員，研究生、本科生以及工程技術(shù)領(lǐng)域愛好者，這些讀者群體來自全球各地，具有廣泛的學(xué)術(shù)背景和興趣。Ieee Transactions On Device And Materials Reliability已被國際權(quán)威學(xué)術(shù)數(shù)據(jù)庫“ SCIE（Science Citation Index Expanded） ”收錄，方便全球范圍內(nèi)的學(xué)者和研究人員檢索和引用，有助于推動ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領(lǐng)域的研究進(jìn)展和創(chuàng)新發(fā)展。

收錄信息

SCIE（科學(xué)引文索引擴展板）

CiteScore（2024年最新版）

CiteScore：4.8
SJR：0.436
SNIP：1.148

學(xué)科類別	分區(qū)	排名	百分位
大類：Engineering 小類：Safety, Risk, Reliability and Quality	Q2	65 / 207	68%
大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering	Q2	274 / 797	65%
大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q2	103 / 284	63%

CiteScore: 這一創(chuàng)新指標(biāo)力求提供更為全面且精確的期刊評估，打破了過去僅依賴單一指標(biāo)如影響因子的局限。它通過綜合廣泛的引用數(shù)據(jù)，跨越多個學(xué)科領(lǐng)域，從而確保了更高的透明度和開放性。作為Scopus中一系列期刊指標(biāo)的重要組成部分，包括SNIP（源文檔標(biāo)準(zhǔn)化影響）、SJR（SCImago雜志排名）、引用文檔計數(shù)以及引用百分比。Scopus整合以上指標(biāo)，幫助研究者深入了解超過22,220種論著的引用情況。您可在Scopus Joumal Metrics website了解各個指標(biāo)的詳細(xì)信息。

CiteScore分區(qū)值與影響因子值數(shù)據(jù)對比

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability中科院分區(qū)表

中科院分區(qū) 2023年12月升級版

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	3區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	3區(qū) 3區(qū)	否	否

中科院分區(qū) 2022年12月升級版

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	3區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	3區(qū) 3區(qū)	否	否

中科院分區(qū) 2021年12月舊的升級版

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	3區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	3區(qū) 3區(qū)	否	否

中科院分區(qū) 2021年12月基礎(chǔ)版

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	4區(qū) 4區(qū)	否	否

中科院分區(qū) 2021年12月升級版

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	3區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	3區(qū) 3區(qū)	否	否

中科院分區(qū) 2020年12月舊的升級版

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	3區(qū)	PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	3區(qū) 4區(qū)	否	否

中科院分區(qū)表歷年分布趨勢圖

WOS期刊JCR分區(qū)（2023-2024年最新版）

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	165 / 352	53.3%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	87 / 179	51.7%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	186 / 354	47.6%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	99 / 179	44.97%

JCR（Journal Citation Reports）分區(qū)，也被稱為JCR期刊分區(qū)，是由湯森路透公司（現(xiàn)在屬于科睿唯安公司）制定的一種國際通用和公認(rèn)的期刊分區(qū)標(biāo)準(zhǔn)。JCR分區(qū)基于SCI數(shù)據(jù)庫，按照期刊的影響因子進(jìn)行排序，按照類似等分的方式將期刊劃分為四個區(qū)：Q1、Q2、Q3和Q4。需要注意的是，JCR分區(qū)的標(biāo)準(zhǔn)與中科院JCR期刊分區(qū)（又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）存在不同之處。例如，兩者的分區(qū)數(shù)量不同，JCR分為四個區(qū)，而中科院分區(qū)則分為176個學(xué)科，每個學(xué)科又按照影響因子高低分為四個區(qū)。此外，兩者的影響因子取值范圍也存在差異。

歷年發(fā)文數(shù)據(jù)

年份	年發(fā)文量
2014	147
2015	81
2016	89
2017	98
2018	79
2019	101
2020	92
2021	80
2022	56
2023	72

期刊互引關(guān)系

被他刊引用情況
期刊名稱	引用次數(shù)
IEEE T ELECTRON DEV	127
IEEE T DEVICE MAT RE	93
MICROELECTRON RELIAB	88
IEEE ACCESS	47
IEEE T NUCL SCI	37
IEEE ELECTR DEVICE L	36
IEICE ELECTRON EXPR	35
IEEE T POWER ELECTR	31
J MATER SCI-MATER EL	31
ELECTRONICS-SWITZ	30

引用他刊情況
期刊名稱	引用次數(shù)
IEEE T ELECTRON DEV	167
IEEE T NUCL SCI	116
MICROELECTRON RELIAB	100
IEEE T DEVICE MAT RE	93
IEEE ELECTR DEVICE L	69
APPL PHYS LETT	59
J APPL PHYS	44
IEEE T COMP PACK MAN	24
IEEE J SOLID-ST CIRC	23
IEEE T POWER ELECTR	23