Microelectronics Reliability
SCIE
按雜志級(jí)別劃分： 中科院1區(qū) 中科院2區(qū) 中科院3區(qū) 中科院4區(qū)
- ISSN：0026-2714
- 創(chuàng)刊時(shí)間：1964
- 是否預(yù)警：否
- E-ISSN：1872-941X
- 出版地區(qū)：ENGLAND
- 是否OA：未開(kāi)放
- 出版語(yǔ)言：English
- 出版周期：Monthly
- 影響因子：1.6
- 出版商：Elsevier Ltd
- 審稿周期： 較快,2-4周 約8.3周
- CiteScore：3.3
- H-index：80
- 出版撤稿文章占比：0.0058...
- 開(kāi)源占比：0.0623
- 文章自引率：0.125
Microelectronics Reliability雜志簡(jiǎn)介
Microelectronics Reliability是由Elsevier Ltd出版商主辦的工程技術(shù)領(lǐng)域的專業(yè)學(xué)術(shù)期刊，自1964年創(chuàng)刊以來(lái)，一直以高質(zhì)量的內(nèi)容贏得業(yè)界的尊重。該期刊擁有正式的刊號(hào)（ISSN：0026-2714，E-ISSN：1872-941X），出版周期Monthly，其出版地區(qū)設(shè)在ENGLAND。該期刊的核心使命旨在推動(dòng)工程技術(shù)專業(yè)及ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC學(xué)科界的教育研究與實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的交流，發(fā)表同行有創(chuàng)見(jiàn)的學(xué)術(shù)論文，提倡學(xué)術(shù)爭(zhēng)鳴，激發(fā)學(xué)術(shù)創(chuàng)新，開(kāi)展國(guó)際間學(xué)術(shù)交流，為工程技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展注入活力。
該期刊文章自引率0.125，開(kāi)源內(nèi)容占比0.0623，出版撤稿占比0.0058...，OA被引用占比0.0216...，讀者群體主要包括工程技術(shù)的專業(yè)人員，研究生、本科生以及工程技術(shù)領(lǐng)域愛(ài)好者，這些讀者群體來(lái)自全球各地，具有廣泛的學(xué)術(shù)背景和興趣。Microelectronics Reliability已被國(guó)際權(quán)威學(xué)術(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)“ SCIE（Science Citation Index Expanded） ”收錄，方便全球范圍內(nèi)的學(xué)者和研究人員檢索和引用，有助于推動(dòng)ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領(lǐng)域的研究進(jìn)展和創(chuàng)新發(fā)展。
CiteScore（2024年最新版）
- CiteScore：3.3
- SJR：0.394
- SNIP：0.801
| 學(xué)科類別 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 大類：Engineering 小類：Safety, Risk, Reliability and Quality | Q2 | 83 / 207 |
60% |
| 大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering | Q2 | 395 / 797 |
50% |
| 大類：Engineering 小類：Atomic and Molecular Physics, and Optics | Q3 | 118 / 224 |
47% |
| 大類：Engineering 小類：Condensed Matter Physics | Q3 | 230 / 434 |
47% |
| 大類：Engineering 小類：Surfaces, Coatings and Films | Q3 | 74 / 132 |
44% |
| 大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q3 | 161 / 284 |
43% |
CiteScore: 這一創(chuàng)新指標(biāo)力求提供更為全面且精確的期刊評(píng)估，打破了過(guò)去僅依賴單一指標(biāo)如影響因子的局限。它通過(guò)綜合廣泛的引用數(shù)據(jù)，跨越多個(gè)學(xué)科領(lǐng)域，從而確保了更高的透明度和開(kāi)放性。作為Scopus中一系列期刊指標(biāo)的重要組成部分，包括SNIP（源文檔標(biāo)準(zhǔn)化影響）、SJR（SCImago雜志排名）、引用文檔計(jì)數(shù)以及引用百分比。Scopus整合以上指標(biāo)，幫助研究者深入了解超過(guò)22,220種論著的引用情況。您可在Scopus Joumal Metrics website了解各個(gè)指標(biāo)的詳細(xì)信息。
CiteScore分區(qū)值與影響因子值數(shù)據(jù)對(duì)比
Microelectronics Reliability中科院分區(qū)表
中科院分區(qū) 2023年12月升級(jí)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū) 2022年12月升級(jí)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū) 2021年12月舊的升級(jí)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū) 2021年12月基礎(chǔ)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū) 2021年12月升級(jí)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū) 2020年12月舊的升級(jí)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū)表歷年分布趨勢(shì)圖
WOS期刊JCR分區(qū)（2023-2024年最新版）
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 239 / 352 |
32.2% |
| 學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 113 / 140 |
19.6% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 131 / 179 |
27.1% |
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 272 / 354 |
23.31% |
| 學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 114 / 140 |
18.93% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 140 / 179 |
22.07% |
JCR（Journal Citation Reports）分區(qū)，也被稱為JCR期刊分區(qū)，是由湯森路透公司（現(xiàn)在屬于科睿唯安公司）制定的一種國(guó)際通用和公認(rèn)的期刊分區(qū)標(biāo)準(zhǔn)。JCR分區(qū)基于SCI數(shù)據(jù)庫(kù)，按照期刊的影響因子進(jìn)行排序，按照類似等分的方式將期刊劃分為四個(gè)區(qū)：Q1、Q2、Q3和Q4。需要注意的是，JCR分區(qū)的標(biāo)準(zhǔn)與中科院JCR期刊分區(qū)（又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）存在不同之處。例如，兩者的分區(qū)數(shù)量不同，JCR分為四個(gè)區(qū)，而中科院分區(qū)則分為176個(gè)學(xué)科，每個(gè)學(xué)科又按照影響因子高低分為四個(gè)區(qū)。此外，兩者的影響因子取值范圍也存在差異。
歷年發(fā)文數(shù)據(jù)
| 年份 | 年發(fā)文量 |
| 2014 | 422 |
| 2015 | 413 |
| 2016 | 419 |
| 2017 | 403 |
| 2018 | 526 |
| 2019 | 316 |
| 2020 | 344 |
| 2021 | 355 |
| 2022 | 329 |
| 2023 | 310 |
期刊互引關(guān)系
| 被他刊引用情況 | |
| 期刊名稱 | 引用次數(shù) |
| MICROELECTRON RELIAB | 512 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 235 |
| J MATER SCI-MATER EL | 205 |
| IEEE ACCESS | 197 |
| IEEE T COMP PACK MAN | 120 |
| IEEE T POWER ELECTR | 120 |
| J ELECTRON MATER | 103 |
| J ALLOY COMPD | 101 |
| IEEE T DEVICE MAT RE | 100 |
| ENERGIES | 87 |
| 引用他刊情況 | |
| 期刊名稱 | 引用次數(shù) |
| MICROELECTRON RELIAB | 512 |
| IEEE T NUCL SCI | 360 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 270 |
| J APPL PHYS | 142 |
| APPL PHYS LETT | 135 |
| IEEE T POWER ELECTR | 120 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 101 |
| IEEE T COMP PACK MAN | 98 |
| J ELECTRON MATER | 93 |
| IEEE T DEVICE MAT RE | 88 |
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