Solid-state Electronics
SCIE
按雜志級(jí)別劃分： 中科院1區(qū) 中科院2區(qū) 中科院3區(qū) 中科院4區(qū)
- ISSN：0038-1101
- 創(chuàng)刊時(shí)間：1960
- 是否預(yù)警：否
- E-ISSN：1879-2405
- 出版地區(qū)：UNITED STATES
- 是否OA：未開(kāi)放
- 出版語(yǔ)言：English
- 出版周期：Monthly
- 影響因子：1.4
- 出版商：Elsevier Ltd
- 審稿周期： 一般,3-6周 約9.2周
- CiteScore：3
- H-index：87
- 出版國(guó)人文章占比：0.16
- 開(kāi)源占比：0.0803
- 文章自引率：0.0588...
Solid-state Electronics雜志簡(jiǎn)介
Solid-state Electronics是由Elsevier Ltd出版商主辦的物理與天體物理領(lǐng)域的專業(yè)學(xué)術(shù)期刊，自1960年創(chuàng)刊以來(lái)，一直以高質(zhì)量的內(nèi)容贏得業(yè)界的尊重。該期刊擁有正式的刊號(hào)（ISSN：0038-1101，E-ISSN：1879-2405），出版周期Monthly，其出版地區(qū)設(shè)在UNITED STATES。該期刊的核心使命旨在推動(dòng)物理與天體物理專業(yè)及ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC學(xué)科界的教育研究與實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的交流，發(fā)表同行有創(chuàng)見(jiàn)的學(xué)術(shù)論文，提倡學(xué)術(shù)爭(zhēng)鳴，激發(fā)學(xué)術(shù)創(chuàng)新，開(kāi)展國(guó)際間學(xué)術(shù)交流，為物理與天體物理領(lǐng)域的發(fā)展注入活力。
該期刊文章自引率0.0588...，開(kāi)源內(nèi)容占比0.0803，出版撤稿占比0，OA被引用占比0.0126...，讀者群體主要包括物理與天體物理的專業(yè)人員，研究生、本科生以及物理與天體物理領(lǐng)域愛(ài)好者，這些讀者群體來(lái)自全球各地，具有廣泛的學(xué)術(shù)背景和興趣。Solid-state Electronics已被國(guó)際權(quán)威學(xué)術(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)“ SCIE（Science Citation Index Expanded） ”收錄，方便全球范圍內(nèi)的學(xué)者和研究人員檢索和引用，有助于推動(dòng)ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領(lǐng)域的研究進(jìn)展和創(chuàng)新發(fā)展。
CiteScore（2024年最新版）
- CiteScore：3
- SJR：0.348
- SNIP：0.655
| 學(xué)科類別 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering | Q3 | 419 / 797 |
47% |
| 大類：Engineering 小類：Condensed Matter Physics | Q3 | 245 / 434 |
43% |
| 大類：Engineering 小類：Materials Chemistry | Q3 | 182 / 317 |
42% |
| 大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q3 | 169 / 284 |
40% |
CiteScore: 這一創(chuàng)新指標(biāo)力求提供更為全面且精確的期刊評(píng)估，打破了過(guò)去僅依賴單一指標(biāo)如影響因子的局限。它通過(guò)綜合廣泛的引用數(shù)據(jù)，跨越多個(gè)學(xué)科領(lǐng)域，從而確保了更高的透明度和開(kāi)放性。作為Scopus中一系列期刊指標(biāo)的重要組成部分，包括SNIP（源文檔標(biāo)準(zhǔn)化影響）、SJR（SCImago雜志排名）、引用文檔計(jì)數(shù)以及引用百分比。Scopus整合以上指標(biāo)，幫助研究者深入了解超過(guò)22,220種論著的引用情況。您可在Scopus Joumal Metrics website了解各個(gè)指標(biāo)的詳細(xì)信息。
CiteScore分區(qū)值與影響因子值數(shù)據(jù)對(duì)比
Solid-state Electronics中科院分區(qū)表
中科院分區(qū) 2023年12月升級(jí)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 物理與天體物理 | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū) 2022年12月升級(jí)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 物理與天體物理 | 3區(qū) | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū) 2021年12月舊的升級(jí)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 物理與天體物理 | 3區(qū) | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū) 2021年12月基礎(chǔ)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 物理 | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū) 2021年12月升級(jí)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 物理與天體物理 | 3區(qū) | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū) 2020年12月舊的升級(jí)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 物理與天體物理 | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū)表歷年分布趨勢(shì)圖
WOS期刊JCR分區(qū)（2023-2024年最新版）
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 259 / 352 |
26.6% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 138 / 179 |
23.2% |
| 學(xué)科：PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q4 | 61 / 79 |
23.4% |
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 261 / 354 |
26.41% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 133 / 179 |
25.98% |
| 學(xué)科：PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q3 | 54 / 79 |
32.28% |
JCR（Journal Citation Reports）分區(qū)，也被稱為JCR期刊分區(qū)，是由湯森路透公司（現(xiàn)在屬于科睿唯安公司）制定的一種國(guó)際通用和公認(rèn)的期刊分區(qū)標(biāo)準(zhǔn)。JCR分區(qū)基于SCI數(shù)據(jù)庫(kù)，按照期刊的影響因子進(jìn)行排序，按照類似等分的方式將期刊劃分為四個(gè)區(qū)：Q1、Q2、Q3和Q4。需要注意的是，JCR分區(qū)的標(biāo)準(zhǔn)與中科院JCR期刊分區(qū)（又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）存在不同之處。例如，兩者的分區(qū)數(shù)量不同，JCR分為四個(gè)區(qū)，而中科院分區(qū)則分為176個(gè)學(xué)科，每個(gè)學(xué)科又按照影響因子高低分為四個(gè)區(qū)。此外，兩者的影響因子取值范圍也存在差異。
歷年發(fā)文數(shù)據(jù)
| 年份 | 年發(fā)文量 |
| 2014 | 182 |
| 2015 | 256 |
| 2016 | 217 |
| 2017 | 210 |
| 2018 | 161 |
| 2019 | 163 |
| 2020 | 159 |
| 2021 | 183 |
| 2022 | 255 |
| 2023 | 175 |
期刊互引關(guān)系
| 被他刊引用情況 | |
| 期刊名稱 | 引用次數(shù) |
| IEEE T ELECTRON DEV | 384 |
| SOLID STATE ELECTRON | 207 |
| J APPL PHYS | 199 |
| JPN J APPL PHYS | 150 |
| SEMICOND SCI TECH | 123 |
| J MATER SCI-MATER EL | 111 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 105 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 96 |
| APPL PHYS LETT | 93 |
| MATER RES EXPRESS | 84 |
| 引用他刊情況 | |
| 期刊名稱 | 引用次數(shù) |
| IEEE T ELECTRON DEV | 431 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 257 |
| APPL PHYS LETT | 248 |
| SOLID STATE ELECTRON | 207 |
| J APPL PHYS | 136 |
| PHYS REV B | 106 |
| NATURE | 58 |
| SEMICOND SCI TECH | 52 |
| PHYS REV LETT | 47 |
| THIN SOLID FILMS | 43 |
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