鋁化學(xué)拋光方法精選(九篇)

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第1篇：鋁化學(xué)拋光方法范文

關(guān)鍵詞：表面拋光；化學(xué)機(jī)械拋光；電子材料

中圖分類號(hào)：TG662 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1009-2374（2012）07-0056-03

一、簡(jiǎn)介

半導(dǎo)體行業(yè)需要不停地發(fā)展新的和先進(jìn)的加工技術(shù)來應(yīng)付新興材料用于各種設(shè)備。因?yàn)榕c時(shí)俱進(jìn)快速變化的半導(dǎo)體器件市場(chǎng)，當(dāng)前挑戰(zhàn)并創(chuàng)造新電子材料變得不可缺少?？焖僭鲩L(zhǎng)的半導(dǎo)體處理技術(shù)增加其應(yīng)用的極限。

拋光技術(shù)已成為半導(dǎo)體制造的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)因?yàn)殡娮硬牧闲枰獟伖庖匀コ砻娴奈蹪n、實(shí)現(xiàn)的單晶后的基片表面沉積過程。對(duì)于表面缺陷的電子材料，常規(guī)機(jī)械拋光技術(shù)已經(jīng)進(jìn)化成一個(gè)使用化學(xué)反應(yīng)的混合拋光技術(shù)。隨著互連尺寸比例縮減，一種由IBM公司引進(jìn)的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)快速增長(zhǎng)，因其擁有在單晶深亞微米集成電路制造、超細(xì)加工電子材料的最強(qiáng)大的技術(shù)。CMP技術(shù)分別使用磨具和化學(xué)泥漿進(jìn)行機(jī)械和化學(xué)移除。即使這些CMP技術(shù)被應(yīng)用于半導(dǎo)體制造，一些去除機(jī)制仍然是模糊的，因?yàn)樗菐缀醪豢赡苡^察到晶圓片之間的接口，在拋光護(hù)墊過程。不幸的是，因?yàn)檫@個(gè)原因在很大程度上取決于CMP制程工程師的實(shí)驗(yàn)敏捷。此外，機(jī)械化學(xué)拋光技術(shù)面臨著加工新的電子材料的挑戰(zhàn)。

在CMP，磨料的選擇和化學(xué)試劑決定了去質(zhì)能力和表面靶材質(zhì)量。因此，很重要的一點(diǎn)就是要了解目標(biāo)材料的材料性能和選擇適合自己的磨料磨具和化學(xué)工藝。本文我們主要討論CMP反應(yīng)中化學(xué)和機(jī)械之間平衡及其應(yīng)付各種電子產(chǎn)品材料的能力。

二、電子材料

圖1顯示了電子材料的分類。對(duì)這些材料的材料性能進(jìn)行了分類：容易研磨的組合（ETA），很難研磨（DTA），易反應(yīng)（ETR）和難以反應(yīng)（DTR）。本文這些電子材料分類如下：

1．ETA-ETR材料：導(dǎo)體材料，如銅、鋁、W等易被硅溶膠模殼工藝和漿解散化學(xué)品粘附，分為ETA-ETR材料。

2．DTA-ETR材料：絕緣氧化物分為DTA -ETR材料。它不容易通過硅溶膠與二氧化硅表面產(chǎn)生研磨，然而，它們很容易地被堿性藥物水合或氧化。

3．ETA-DTR材料：用于集成電路和微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）的絕緣聚合體是ETA-DTR材料。SU-8是一種厚的兼有化學(xué)穩(wěn)定和熱穩(wěn)定性的基于環(huán)氧的光刻膠（PR），它主用于微細(xì)加工。

4．DTA-DTR材料：寬帶隙的化合物，如SiC和GaN都屬于DTA-DTR材料，具有硬度高和化學(xué)惰性特點(diǎn)。

三、電子材料的拋光

（一）ETA-ETR材料

鋁和銅作為互連線材料，一般都比在CMP泥漿中作為磨料的硅膠更柔和，而且硅膠會(huì)在這些金屬表面留下劃痕。因此，在金屬CMP，消除目標(biāo)材料是成膜、膜磨和再鈍化的重復(fù)過程的結(jié)果。

在銅CMP。使用氧化鋁磨料或硅。最近，硅溶膠研磨已經(jīng)被廣泛用于創(chuàng)建一個(gè)無缺損的表層，由于氧化鋁磨料太難了，在銅表面產(chǎn)生深劃痕。銅被化學(xué)藥品和漿輕微蝕刻和表面的粗糙度如何惡化。銅的粗糙表面）與硅膠輕機(jī)械磨損得到改善。圖2所示的研磨的作用濃度的銅CMP對(duì)材料去除率漿（MRR）。壓力、旋轉(zhuǎn)速度、漿流量分別為20.7kPa，80rmp，150ml/min。無損漿低相對(duì)于一般類型含有磨料磨料的漿顯示了更少的MRR。增加硅溶膠增加MRR，通過撫平化學(xué)反應(yīng)的銅表面降低表面粗糙度。

ETA-ETR材料的CMP在很大程度上取決于化工反應(yīng)泥漿和目標(biāo)之間的材料。然而，高化學(xué)移除和生成一個(gè)鈍化層導(dǎo)致目標(biāo)材料表面粗糙。因此，在CMP漿中使用軟磨料輕微研磨與化學(xué)試劑的正確選擇是制備ETA-ETR材料無缺陷表面中不可缺少的。

（二）DTA-ETR材料

二氧化硅CMP的主要機(jī)制是氧化膜在CMP中產(chǎn)生的摩擦力造成的升溫而形成的破裂或軟化，同時(shí)還伴隨著二氧化硅的塑性變形。軟化了的氧化膜，被堿性溶液水合，隨后被磨料耕作。在二氧化硅CMP中用的最廣泛的磨料是二氧化硅和CeO2。二氧化硅去除氧化面的水合層通過縮合和耕作二氧化硅膜。庫(kù)克提出了一種“化學(xué)牙”二氧化硅表面和CeO2顆粒將做一個(gè)CeOSi連接，CeOSi（OH）除去表面，然后也將進(jìn)行Si（OH）解散。因此，ceria漿比硅漿的MRR高。DTA-ETR材料，如二氧化硅，應(yīng)由一種化學(xué)反應(yīng)表面通過軟磨料進(jìn)行機(jī)械拋光，以便得到無缺陷表面。

（三）DTA-DTR材料

6H-SiC是一個(gè)具有代表性的為高性能電子設(shè)備的基體材料，是一個(gè)典型的DTA-DTR材料。很難用硅膠對(duì)碳化硅表面拋光因?yàn)閱尉iC的Mohs硬度是9～9.5，而且比硅溶膠更硬（Mohs6.5～7），另外，高inter-atomic連接的能量使SiC穩(wěn)定高溫和化學(xué)性活躍。熔巖KOH（T>450暖）最常應(yīng)用于SiC為了實(shí)現(xiàn)優(yōu)先蝕刻。

應(yīng)用壓力、旋轉(zhuǎn)速度、漿流量分別為120kPa、100rpm和150mL/min。一個(gè)硅溶膠漿和混合磨料漿（MAS），混合了硅溶膠（平均直徑：120nm）和鉆石（平均直徑：30nm）用于6H-SiC的CMP。硅溶膠漿相對(duì)于MAS顯示出更低的MRR。這結(jié)果來源于higher MRR and CMP withMASshowa上級(jí)的表面質(zhì)量。

為了驗(yàn)證了碳化硅去除的機(jī)理、高度降低凹nano-indentation測(cè)量后留下了原子力顯微鏡（AFM）。這些散布的膠體硅漿的高度降低縮進(jìn)，然而它加寬了縮進(jìn)寬度通過切除了應(yīng)力誘發(fā)縮進(jìn)的邊緣區(qū)域。MAS的高度的降低在不增加縮進(jìn)它的寬度。很可能鉆石（金剛石）產(chǎn)品的表面刮傷或解除SiC機(jī)械和應(yīng)力誘發(fā)表面的反應(yīng)起來相當(dāng)容易用化學(xué)物質(zhì)。在多的硅溶膠模殼扮演這樣的角色6H-SiC光滑的表面。因此，機(jī)械應(yīng)力發(fā)現(xiàn)在硬磨料磨具和表面平滑化學(xué)污染用軟產(chǎn)品表面反應(yīng)需要的CMP DTA -DTR材料。也就是說，增強(qiáng)應(yīng)力的CMP正是DTA-DTR CMP的材料所需的。

（四）ETA-DTR材料

目前，微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）的CMP使用正在增加是為了減小尺寸，實(shí)現(xiàn)設(shè)備的高度集成結(jié)構(gòu)。在濕法腐蝕的過程，SU-8過氧化氫作為一種在100～130分解有機(jī)雜質(zhì)氧化劑的暖。然而，CMP制程在室溫下進(jìn)行，就這樣那化學(xué)反應(yīng)是約束與非常慢在CMP。

因此，需要機(jī)械磨損表面去除SU-8。資料顯示了拋光處理硅溶膠漿的MRRs樣本SU-8，過氧化氫和過氧化氫溶液，基礎(chǔ)硅溶膠模殼基礎(chǔ)氧化鋁漿泥漿和過氧化氫。拋光壓力，旋轉(zhuǎn)速度、漿流量分別為30kPa、80rpm和150mL/min。CMP中苯甲醇泥漿比常規(guī)硅溶膠泥漿顯示了更高的MRR。這SU-8拋光和的MRR基礎(chǔ)氧化鋁漿過氧化氫更高比拋光和硅溶膠漿過氧化氫為基礎(chǔ)。然而，氧化鋁漿留下了太多的劃痕在表面上SU-8的。因此優(yōu)良的產(chǎn)品適合CMP以減少SU-8劃痕。

ETA-DTR材料的材料去除很大程度上取決于ETA-DTR材料機(jī)械磨損用作增強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)在DTA-DTR材料。 然而，機(jī)械研磨與優(yōu)良的硬磨料是制備無缺陷表面和ETA-DTR材料高M(jìn)RR所必不可少的，以克服化學(xué)惰性特征的物質(zhì)。

四、電子材料拋光中化學(xué)和機(jī)械的平衡

在拋光技術(shù)中，制備電子材料無缺陷表面時(shí)應(yīng)考慮化學(xué)和機(jī)械的平衡。圖3表現(xiàn)出種種拋光方法和適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)和機(jī)械電子平衡的條件材料。電子材料很大程度上被分為兩種組：ETR組和DTR組。ETA-ETR材料，容易與化學(xué)物質(zhì)反應(yīng)，要求有很高的化學(xué)反應(yīng)和輕微機(jī)械磨損以產(chǎn)生良好的表面。DTA-ETR材料，如二氧化硅，應(yīng)磨光機(jī)械磨損，一種化學(xué)反應(yīng)層用軟磨料。DTR組由于CMP技術(shù)其化學(xué)惰性的特點(diǎn)是一個(gè)具有挑戰(zhàn)性的地區(qū)。因此， DTR的CMP主要依靠機(jī)械磨損。機(jī)械磨損和化學(xué)硬磨料對(duì)于制備ETA-DTR材料無缺陷表面是必需的。DTA-DTR材料通過一般CMP過程很難去除表面由于其化學(xué)和機(jī)械穩(wěn)定性。強(qiáng)機(jī)械應(yīng)力應(yīng)采用表面研磨好DTA-DTR材料以營(yíng)造一種良好的化學(xué)反應(yīng)。因此，增強(qiáng)應(yīng)力的CMP適用于表面缺陷DTA-DTR材料。

第2篇：鋁化學(xué)拋光方法范文

關(guān)鍵詞：聚吡咯；氧化鋁模板；形貌

導(dǎo)電聚合物化學(xué)修飾電極由于其電化學(xué)響應(yīng)信號(hào)大、易觀察、性質(zhì)穩(wěn)定、具有一定的抗干擾能力等優(yōu)點(diǎn)[1]，在生物傳感器、電化學(xué)催化[2]等方面得到了廣泛的應(yīng)用．由于ppy膜具有良好的物理和化學(xué)性質(zhì)，導(dǎo)電、表面性質(zhì)可控、生物相容、比較穩(wěn)定、易于制備、柔韌性和強(qiáng)度較好，故在化學(xué)修飾電極的研究中，ppy是在導(dǎo)電聚合物中研究最多和應(yīng)用最廣的一類．

神經(jīng)元傳感器是一種生物傳感器，可以探測(cè)中樞神經(jīng)系統(tǒng)發(fā)出的電信號(hào)，從而可以對(duì)病灶進(jìn)行針對(duì)性的刺激治療[3]．目前存在的主要問題是，它和中樞神經(jīng)組織兩者間性能存在巨大差異(神經(jīng)元傳感器模量為172 gpa，中樞神經(jīng)組織為100 kpa)，靠單基金項(xiàng)目：國(guó)家自然科

一密度的物質(zhì)很難達(dá)到完美的結(jié)果，我們?cè)O(shè)想使用吡咯電化學(xué)聚合形成的涂層在兩者間建立一個(gè)性能梯度中間層[4]引．為了在兩者之間架設(shè)一個(gè)完美的橋梁，仍須對(duì)ppy表面進(jìn)行改性，以得到一個(gè)高表面積、高粗糙度具有機(jī)械模量梯度柔軟疏松的表面．

一般ppy的表面呈菜花狀結(jié)構(gòu)[6 ]，只有用特殊方法才能得到區(qū)別于常規(guī)形貌的特殊結(jié)構(gòu)．如氧化鋁模板法是目前合成ppy納米線(管)最常用的方法之一[9]．多孔氧化鋁膜由高純金屬鋁經(jīng)電化學(xué)法處理而得到．膜內(nèi)含有規(guī)則排列的六方納米級(jí)柱狀孔道，膜厚10b100 am，膜孔徑最小可達(dá)5 am，孔密度高達(dá)10n／cm2 do3．我們采用表面被氧化成多孔氧化鋁膜的高純鋁片作為工作電極合成ppy，得到了一種不同于ppy常規(guī)菜花狀結(jié)構(gòu)，我們稱之為微觸手結(jié)構(gòu)．具有這種微觸手結(jié)構(gòu)的ppy膜具有較大的比表面積，即電極表面活性位點(diǎn)數(shù)增多，從而可以增加電化學(xué)信號(hào)；同時(shí)這種微觸手結(jié)構(gòu)比較柔軟，即具有該結(jié)構(gòu)的ppy膜模量較低，這改善了材料的生物相容性．

1 實(shí)驗(yàn)部分

1．1 儀器與試劑

電化學(xué)聚合：采用chi 650b電化學(xué)工作站(i-海辰華儀器公司)，在計(jì)算機(jī)控制下，采用恒電位的方法進(jìn)行電化學(xué)聚合．

表面形貌表征：采用quanta 200 sem (fei company)觀察其表面形貌．

試劑：吡咯(py，>97 ，fluka出品)，使用前減壓蒸餾．其他試劑均為分析純，實(shí)驗(yàn)用水為去離子水．

1．2 鋁／氧化鋁模板電極的制備

將高純鋁條(99．99％，200 m)在空氣中500℃下退火5 h，以去除冷軋時(shí)鋁片中產(chǎn)生的應(yīng)力、晶粒缺陷，提高結(jié)晶性能．再將退火后的鋁片在丙酮中超聲清洗15 min以除去表面可能存在的油脂．然后在氫氧化鈉水溶液超聲清洗，以去除表面的氧化層．取出高純鋁，用去離子水清洗，采用拋光液進(jìn)行電化學(xué)拋光，達(dá)到鏡面效果．拋光后的鋁片經(jīng)蒸餾水洗后，在支持電解質(zhì)中進(jìn)行陽極氧化一定時(shí)間后，工作電極表面即形成含納米孔洞的氧化鋁膜(見圖1)，可以看作是金屬鋁上覆蓋一層氧化鋁模板．

1．3 實(shí)驗(yàn)方法

在三電極電解池中，鋁／氧化鋁模板作為工作電極，鉑片為對(duì)電極，參比電極為飽和甘汞電極(sce)．聚合前工作電極在水中超聲洗滌，電解池通氮?dú)?0 min以除去溶液中的氧，恒電位下進(jìn)行不同聚合電位、聚合時(shí)間及單體濃度的電化學(xué)聚合研究．

2 結(jié)果與討論

2．1 聚合時(shí)間的影響

圖2顯示在0．2 mol／l py和0．2 mol／l(+)一樟腦磺酸(csa)的電解液中以1．0 v恒電位聚合條件下制備的ppy形貌隨時(shí)間的變化趨勢(shì)．由圖可以看出，800 s時(shí)微觸手結(jié)構(gòu)不太明顯，1000 s時(shí)出現(xiàn)明顯的微觸手結(jié)構(gòu)，但比較稀少，到1 400 s時(shí)已經(jīng)有相當(dāng)數(shù)量的微觸手結(jié)構(gòu)出現(xiàn)；1 600 s時(shí)出現(xiàn)大量的微觸手結(jié)構(gòu)，且它們的表面都很光滑，結(jié)構(gòu)十分致密，此時(shí)ppy膜具有較大的比表面積，1 800 s時(shí)雖有很多的微結(jié)構(gòu)出現(xiàn)，但比1 600 s時(shí)已有所下降，2 100 s時(shí)微結(jié)構(gòu)明顯減小，底部的菜花狀ppy膜已經(jīng)顯露出．由此可見，聚合一定的時(shí)間ppy才會(huì)出現(xiàn)特殊的微結(jié)構(gòu)，但過長(zhǎng)的聚合時(shí)間也會(huì)導(dǎo)致微結(jié)構(gòu)減少，這是因?yàn)橄噜彽奈⒂|手結(jié)構(gòu)互相交疊結(jié)合成普通的菜花狀結(jié)構(gòu)．通過研究發(fā)現(xiàn)，1 600 s為最佳聚合時(shí)間．

2．2 聚合電位的影響

圖3顯示了所制備的ppy形貌隨聚合電位的變化趨勢(shì)．聚合條件為py濃度0．2 mol／l，(+)一csa濃度0．2 mol／l，聚合時(shí)間1 600 s．由圖可以看出，0．8 v時(shí)已有微觸手結(jié)構(gòu)出現(xiàn)，但十分稀少，0．9 v時(shí)微觸手結(jié)構(gòu)明顯增多，且可以看出是從邊緣處開始生長(zhǎng)，微觸手結(jié)構(gòu)表面也變得光滑起來；1．0 v時(shí)出現(xiàn)大量的微觸手結(jié)構(gòu)，且它們的表面都很光滑，微觸手結(jié)構(gòu)十分致密，已將底部的膜完全遮蓋，此時(shí)ppy膜具有較大的比表面積；1．1 v時(shí)微觸手結(jié)構(gòu)明顯減少，表面也變得不光滑起來，出現(xiàn)了黏連的現(xiàn)象，此時(shí)電位已超過py的過氧化電位，應(yīng)為過氧化所致；1-3 v時(shí)微觸手結(jié)構(gòu)基本消失，ppy膜恢復(fù)普通的菜花狀結(jié)構(gòu)．由此可以得出1-0 v為獲得特殊形貌的最佳聚合電位．

2．3 單體濃度影響

圖4為ppy形貌與單體濃度之間的關(guān)系．聚合條件為(+)-csa濃度0．2 mol／l，聚合電位1．0 v，聚合時(shí)間1 600 s．從圖中可以得知，單體濃度從0．1mol／l到0．4 mol／l之間均有微觸手結(jié)構(gòu)的出現(xiàn)，單體濃度為0．2---0．3 mol／l時(shí)比較適宜，微觸手結(jié)構(gòu)比較致密，且比較光滑、均一．相比較而言，0．2mol／l較0．3 mol／l更為適宜一些．

2．4 微觸手結(jié)構(gòu)形成機(jī)理探討

通過上述試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，用鋁／氧化鋁模板作為工作電極可以得到ppy的微觸手結(jié)構(gòu)，而在相同的聚合條件下，用高純鋁作為工作電極，僅得到了普通的菜花狀結(jié)構(gòu)，且在1．0 v電位下鋁被氧化，表面龜裂，如圖5所示．說明將鋁氧化，在其表面得到一層氧化鋁模板是得到微觸手結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵．在無模板的情況下，ppy先以一維結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)，再交疊成二維結(jié)構(gòu)、三維結(jié)構(gòu)[1]．而ppy在三氧化二鋁模板的孔洞中只能以高度有序的共軛結(jié)構(gòu)一維生長(zhǎng)[1引，當(dāng)其長(zhǎng)出模板時(shí)，ppy已形成的高度有序的一維結(jié)構(gòu)有利于其按照該趨勢(shì)繼續(xù)生長(zhǎng)．在生長(zhǎng)的過程中，相鄰的一維結(jié)構(gòu)交連成一束，形成微觸手結(jié)構(gòu)，在脫離模板后繼續(xù)向七生長(zhǎng)．

3 結(jié)論

以鋁／氧化鋁模板為工作電極可以得到區(qū)別于普通菜花狀結(jié)構(gòu)的ppy微觸手結(jié)構(gòu)，研究發(fā)現(xiàn)聚合時(shí)間為l 600 s、聚合電位1．0 v、單體濃度0．2 mol／l時(shí)制備的ppy膜的微觸手結(jié)構(gòu)數(shù)量多，具有較大的比表面積．10 nm至10／am的表面結(jié)構(gòu)的變化對(duì)生物相容性影響顯著，因?yàn)檫@樣的尺寸與細(xì)胞尺寸及生物大分子在同樣的數(shù)量級(jí)[1引，而且有證據(jù)證明微米級(jí)表面結(jié)構(gòu)允許細(xì)胞早期黏附，從而提高材料的整體組織相容性．神經(jīng)元的大小通常為10～15／am[m]，我們所得到的ppy微觸手結(jié)構(gòu)其直徑均小于10／am，這樣就可以確保每個(gè)神經(jīng)元至少與一個(gè)微觸手結(jié)構(gòu)相接觸，將有利于細(xì)胞在其表面依附和生長(zhǎng)．同時(shí)它具有比金小得多的模量，可以防止對(duì)中樞神經(jīng)組織造成尖銳損傷，提高中樞神經(jīng)組織與神經(jīng)元傳感器的相容性；它還可以增加神經(jīng)元傳感器與中樞神經(jīng)組織細(xì)胞滲透和接觸，加大電信號(hào)接受面積，有助于電極的電子電導(dǎo)和離子電導(dǎo)達(dá)到平衡．該模板法制備具有特殊微觸手結(jié)構(gòu)的ppy膜，為將來化學(xué)修飾電極的制備提供了可靠的研究基礎(chǔ)．有關(guān)該結(jié)構(gòu)的生物相容性問題將在以后的研究中進(jìn)行．

參考文獻(xiàn)：

[1] larma t f，reynolds j r，qiu y j．polypyrrole as a solide electrolyte for tantalum capacitors[j]．synthmet，1996，79(2)：229-233．

[2] 柳閩生，楊邁之．導(dǎo)電高聚物修飾納米尺度tio2多孔膜電極的光電化學(xué)研究[j]．化學(xué)學(xué)報(bào)，2001，59(3)：377—382．

[3]abraham j k，xie jining，varadan v k．smart structures andmaterials[j]．2005，5763：133—138．

[4]reynol a f，shetter a g．scarring around cervical epriduralstimulating electrode[j]．neurosurgery，1983，13：63—65．

[5] anderson j p，nilsson．bioactive silk-like protein polymer on silcon devices[j]．proceeding of mater res soc．boston：ma ter res soe，1994，330：171—177．

[6] sutton s j，vaughan a s on the morphology and growth of electrochemically polym erized polypyrrole[j]． polym er，1995，36(9)：1849-1857．

[7] 肖迎紅，martin d c 新型導(dǎo)電高聚物對(duì)神經(jīng)元修補(bǔ)元件的表面改性[j]．電子元件與材料，2003，22(8)：18—22．

[8] 賈駿，姚月玲，徐友龍等．純鈦表面聚吡咯涂層的表面性能研

究i-j]．口腔醫(yī)學(xué)研究，2002，18(5)：297—300．

[9] 葛東濤，王紀(jì)孝，等．ppy納米線(管)的合成[j]．化學(xué)進(jìn)展，2003，15 (6)：456-46l

[10] alma wiawi d，coombs n，moskovits m magnetic properties of fe de posited into an odic aluminum oxide pores as a func-tion of particle size[j]．j appl phys，1991，70：4421—4425．

il1] 董紹俊，車廣禮，謝遠(yuǎn)武．化學(xué)修飾電極[m]．北京：科學(xué)出版社，2003：329．

[12] van dyke l s，martin c r electrochemical investigations of electronically conductive polym ers．4．co ntrolling the super-molecular structure allows charge transport rates to be en-hanced[j]．langmuir，1990，6：ii18—1123．

第3篇：鋁化學(xué)拋光方法范文

關(guān)鍵詞：廢水處理；含氟廢水；沉淀

DOI：10.16640/ki.37-1222/t.2017.13.021

1 引言

涉及含氟原料的化工生產(chǎn)中產(chǎn)生廢水會(huì)含有一定量的氟離子，如核燃料化工、化肥農(nóng)藥生產(chǎn)、電鍍、含硅制品（鋁合金、半導(dǎo)體）的蝕刻化學(xué)拋光等。依據(jù)國(guó)家污水排放要求，氟離子濃度應(yīng)控制在不高于10mg/L方可直接排放，因此必須采用相關(guān)除氟工藝進(jìn)行處理。

含氟廢水的處理方式主要有化學(xué)沉淀、吸附處理、離子交換、蒸發(fā)濃縮、膜分離等方法，由于吸附處理和離子交換處理氟離子能力有限僅適用于低氟含量的廢水處理，蒸發(fā)濃縮處理廢水量不大且耗能嚴(yán)重，膜分離法設(shè)備投入成本大且難以一次處理即可達(dá)標(biāo)，因此含氟量高的廢水處理工業(yè)應(yīng)用主要通過沉淀處理及其他工藝方法輔助來實(shí)現(xiàn)。

2 高濃度含氟廢水的處理

處理含氟廢水工業(yè)應(yīng)用的主要方法是化學(xué)沉淀法，工藝采用向廢水中加入沉淀劑與氟離子生成氟化沉淀物，再經(jīng)過濾去降低氟含量，此方法處理能力大、消耗費(fèi)用小尤其適用于高濃度的含氟廢水的處理。由于沉淀物的顆粒性質(zhì)、溶解度高等原因，僅僅通過沉淀法時(shí)常造成理后的廢水氟含量大于10mg/L需要再次處理，為實(shí)現(xiàn)控制標(biāo)準(zhǔn)的要求，處理過程需要涉及以下幾個(gè)方面。

2.1 化學(xué)沉淀處理

控制適宜溫度，在充分?jǐn)嚢柘孪蚝鷱U水中加入沉淀劑，主要是含鈣試劑如熟石灰，利用鈣離子與氟離子生成氟化鈣沉淀使氟含量去除。在熟石灰除氟通過控制熟石灰過剩量、沉淀pH值、補(bǔ)加鈣離子等方式控制可有效地將氟含量進(jìn)行降低。

石灰價(jià)廉易得過量使用對(duì)環(huán)境影響不大，因此得到廣泛地應(yīng)用。由于氫氧化鈣溶解度低鈣離子在溶液中溶解量不大，與氟離子生成的氟化鈣包覆于氫氧化鈣表面阻礙反應(yīng)的繼續(xù)進(jìn)行，再加上氟化鈣的溶度積限制，單純采用熟石灰方法即使過量許多也難以一次處理達(dá)標(biāo)?？紤]氯化鈣的溶解度大，可在使用熟石灰的同時(shí)補(bǔ)加一定量的氯化鈣或加入鹽酸溶解氫氧化鈣產(chǎn)生鈣離子的方式提高去除氟離子的能力。

使用其他的沉淀劑如電石渣、鎂鹽、磷酸鹽也有相關(guān)實(shí)驗(yàn)研究。電石渣主要成分也是氫氧化鈣，它是乙炔等生產(chǎn)時(shí)的廢渣，處理時(shí)生成的氟化鈣晶體較好，沉降快。氟化鎂、鈣的磷酸鹽與氟產(chǎn)生的沉淀物的溶解度都比氟化鈣更低，因此去除氟離子的能力更強(qiáng)一些。

2.2 絮凝沉淀處理

絮凝沉淀使用的絮凝劑分為無機(jī)絮凝劑（鋁鹽、鐵鹽）和有機(jī)絮凝劑（聚丙烯酰胺）。

氯化鐵、氯化鋁、硫酸鐵、硫酸鋁是早期工業(yè)生產(chǎn)中的經(jīng)常應(yīng)用的絮凝劑，其后開發(fā)出了相似的聚合化合物和有機(jī)高分子絮凝劑。在使用時(shí)生成相關(guān)金屬的氫氧化物絮體，比表面積大與氟離子可發(fā)生物理吸附和化學(xué)吸附，能夠大幅度的降低氟離子含量。絮凝劑可在使用熟石灰后加入，對(duì)氟化鈣細(xì)小顆粒進(jìn)行凝聚改善沉淀物的沉降效果，有利于過濾。

聚丙烯酰胺（PAM）是有機(jī)高分子絮凝劑，在水溶液中溶解度好，無腐蝕作用，并且不會(huì)在處理過程中增加金屬離子污染物。其在投入化學(xué)試劑沉淀后加入或與無機(jī)絮凝劑一起聯(lián)合使用，起到的主要作用有：（1）絮凝作用，溶液中顆粒表面的帶電電荷是造成顆粒難以凝聚完全的原因，加入表面電荷相反的PAM使帶電顆粒中和凝聚；（2）吸附架橋，PAM分子鏈長(zhǎng)可固定在不同的顆粒表面上使顆粒之間架橋聚集沉降；（3）表面吸附，PAM分子上各種極性基團(tuán)對(duì)臨近的顆粒進(jìn)行吸附；（4）增強(qiáng)作用，PAM分子鏈通過機(jī)械、物理、化學(xué)等作用與顆粒物牽連形成網(wǎng)狀。PAM有多種類型，依據(jù)離解基團(tuán)的特性分為陰離子型（如-COOH）陽離子型（如-NH3OH，-NH2OH）和非離子型等，在使用時(shí)根據(jù)環(huán)境需要進(jìn)行選擇。

無機(jī)絮凝劑在使用過程中耗量較大，合成的高分子絮凝劑用量少、絮凝速度快，其他的絮凝劑有天然生物高分子絮凝劑，如殼聚糖、淀粉衍生物、明膠等，是從自然物質(zhì)中提取并稍經(jīng)化學(xué)改性處理的物質(zhì)，絮凝活性低，用于絮凝凈化效果不理想一般無在含氟廢水處理應(yīng)用。

3 不同類型廢水可采用的處理工藝

化工生產(chǎn)中的高含氟廢水根據(jù)酸堿度的不同分為：酸性廢水、堿性廢水和中性廢水。某化工廠就含有此類廢水，其中酸性廢水主要成分是氫氟酸和鹽酸或硝酸，堿性廢水主要成分氟化銨和氨水，對(duì)其可采用的處理方法分類討論如下。

3.1 酸性廢水

酸性廢水含氟量高，主要以氫氟酸形式存在，此類廢水直接加入熟石灰進(jìn)行中和反應(yīng)，當(dāng)廢水中含有鹽酸時(shí)可生成氯化鈣，因此鈣離子含量高除氟比較徹底，但氟化鈣晶體顆粒度不好需加入PAM絮凝，絮凝沉淀后通過壓濾機(jī)壓濾或離心機(jī)過濾，分離后固體氟化鈣干燥后收集存儲(chǔ)，廢水達(dá)標(biāo)排放。

3.2 堿性廢水

堿性廢水主要成分為氟化銨，其中含部分氨水，加入熟石灰也可生成氟化鈣，但由于堿度大鈣離子含量低難以將氟離子降低至排放標(biāo)準(zhǔn)?？稍诩尤胧焓业耐瑫r(shí)加入氯化鈣或部分鹽酸酸化產(chǎn)生氯化鈣，鹽酸酸化有利于最終廢水調(diào)至中性后排放，直接加氯化鈣有利于保持溶液堿度進(jìn)行蒸氨處理，可根據(jù)需要具體選定。

為保證除氟效果，在增加鈣離子的同時(shí)加入少量鋁鹽，鋁鹽在堿性下沉淀通過交換吸附、絡(luò)合等作用使氟離子含量進(jìn)一步降低，再加入PAM充分絮凝，過濾分離氟化鈣后排放廢水。

4 結(jié)論

含氟廢水可通過加入鈣鹽沉淀劑、鋁鹽輔助、PAM絮凝等方式進(jìn)行處理，對(duì)不同類型廢水根據(jù)情況可適當(dāng)調(diào)整處理工藝，能夠?qū)U水氟含量降低至滿足國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)要求。

在實(shí)際生產(chǎn)處理中需要在保證氟含量的同時(shí)考慮處理成本和控制氟化鈣晶體顆粒以滿足分離需要，采取多種處理工藝聯(lián)合使用可有效滿足控制需要。

參考文獻(xiàn)：

[1]朱順根.含氟廢水處理[J].化學(xué)世界，1990，31（07）：293-296.

[2]張玲，薛學(xué)佳，周鈺明.含氟廢水處理的最新研究進(jìn)展[J].化工時(shí)刊，2004，18（12）：16-18.

第4篇：鋁化學(xué)拋光方法范文

關(guān)鍵詞：特種加工；教學(xué)；辯證思想

作者簡(jiǎn)介：阿達(dá)依·謝爾亞孜旦（1963-），男，哈薩克族，新疆阿勒泰人，新疆大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院，教授。（新疆 烏魯木齊 830047）

中圖分類號(hào)：G642.0 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1007-0079（2013）31-0125-02

20世紀(jì)40年代后，社會(huì)的發(fā)展與科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步對(duì)物質(zhì)對(duì)象使用性能所提出的要求使產(chǎn)品向高精度、高速度、高溫、高壓、個(gè)性化、大型化及微細(xì)化等方向發(fā)展，尤其是21世紀(jì)以來，社會(huì)公眾環(huán)境保護(hù)意識(shí)的提高，使“節(jié)能、減排及降耗”的環(huán)境保護(hù)措施提升到國(guó)家戰(zhàn)略層面，對(duì)產(chǎn)品的使用性能提出了更高的要求，不僅要求高壽命、低磨損、低噪音，而且還要求更高的安全性及可靠性。這些要求使得產(chǎn)品的制造或加工面臨諸多問題，如：硬質(zhì)合金、鈦合金以及半導(dǎo)體材料鍺、硅等各種難切削材料的加工問題；各種異型孔、薄壁件以及窄縫等特殊復(fù)雜結(jié)構(gòu)的加工問題；各種微米、納米級(jí)孔及軸等的加工問題。

實(shí)踐表明，車、銑、磨及鉆等傳統(tǒng)的加工方法或手段難以解決上述加工問題。其主要原因在于這些傳統(tǒng)加工方法或手段要求工具的硬度大于被加工對(duì)象的硬度；同時(shí)，這些傳統(tǒng)的加工手段對(duì)能量的利用也主要局限在機(jī)械能的使用。

針對(duì)傳統(tǒng)加工方法或手段的不足，人們不僅開始探索用軟的工具對(duì)硬的加工對(duì)象實(shí)施加工或處理，而且采用電、光、聲及化學(xué)能等多種能量形式來處理加工對(duì)象，并在此基礎(chǔ)上形成了以電火花加工、電化學(xué)加工、三束加工（電子束、離子束及激光束加工）以及超聲波加工為典型代表的非傳統(tǒng)加工或非常規(guī)機(jī)械加工方法（習(xí)慣上稱為特種加工）。

由于具有在加工過程中無明顯機(jī)械力作用以及能量使用的多樣性等特點(diǎn)，因此，近十幾年以來，非傳統(tǒng)加工方法得到迅速發(fā)展，應(yīng)用也愈來愈廣泛，并成為先進(jìn)制造技術(shù)（如快速成形或3D打印技術(shù)）中不可或缺的關(guān)鍵加工手段。針對(duì)這種現(xiàn)狀，國(guó)內(nèi)高校，尤其是“985”高校相關(guān)專業(yè)不僅對(duì)本科生、碩士研究生以及博士研究生開設(shè)“特種加工”這門課程，而且將其作為專業(yè)基礎(chǔ)課或?qū)I(yè)主干課程，并在教學(xué)過程中積累了大量的教學(xué)與實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。本文主要探討“特種加工”課程在教學(xué)過程的若干問題及其體會(huì)，以便不斷地提高教學(xué)質(zhì)量。

一、特種加工及其影響

特種加工是指?jìng)鹘y(tǒng)的加工方法（如車、銑、刨、磨、鉆以及研磨等）以外的加工方法。[1]相對(duì)于傳統(tǒng)的加工方法，特種加工最顯著的特點(diǎn)是不再主要依賴機(jī)械能，而是直接或復(fù)合利用電能、化學(xué)能、聲能以及熱能等對(duì)加工對(duì)象實(shí)施加工、處理。特種加工對(duì)能量有效利用的多樣性的特點(diǎn)不僅對(duì)傳統(tǒng)的機(jī)械設(shè)計(jì)、制造等理念產(chǎn)生了巨大的沖擊，而且也深化了對(duì)加工本質(zhì)的認(rèn)識(shí)，即加工的本質(zhì)是有規(guī)律的破壞，表現(xiàn)特征為被加工對(duì)象物料的增加、減少或變形。

因此，在教學(xué)過程中，特種加工的概念及其影響應(yīng)作為核心內(nèi)容，通過大量的實(shí)例講解，不僅可培養(yǎng)學(xué)生以點(diǎn)到面的發(fā)散性思維、拓展學(xué)生的知識(shí)面，而且還可通過對(duì)理論到工程應(yīng)用的認(rèn)識(shí)，強(qiáng)化、提升學(xué)生對(duì)基礎(chǔ)理論的認(rèn)識(shí)，為學(xué)生創(chuàng)新能力的培養(yǎng)奠定良好的思維和理論基礎(chǔ)。為此，在注重教材中所述實(shí)例講解的同時(shí)，應(yīng)更多地將特種加工的特點(diǎn)與最新研究、應(yīng)用成果相結(jié)合作為重要內(nèi)容來講解；同時(shí)，在講解過程中既要注意嚴(yán)密的邏輯言語的表述，又要注意知識(shí)面的延續(xù)與拓展。以下是筆者在講解特種加工對(duì)材料可加工性影響時(shí)的一個(gè)實(shí)例。

傳統(tǒng)的機(jī)械設(shè)計(jì)、制造理念認(rèn)為：材料的可加工性直接與材料的硬度、強(qiáng)度等機(jī)械性能有關(guān)。如硬度很高的金剛石、玻璃、陶瓷等材料難以用傳統(tǒng)的加工方法加工，但可以用電火花、超聲波、激光等特種加工方法實(shí)現(xiàn)加工。這實(shí)際上反映了材料可加工性的延展。

材料可加工性的拓展，也為提高材料的使用性能提供了處理手段。如為提高鋁及鋁合金的耐磨、耐腐蝕性能，可基于電火花、電化學(xué)和化學(xué)等綜合利用使鋁及鋁合金表面生長(zhǎng)、形成一層很薄的以Al2O3為主的陶瓷薄層。又如，傳統(tǒng)的加工方法所獲得的零件表面微觀幾何輪廓是“尖峰”狀的，而使用電化學(xué)加工可獲得“高原”型的表面微觀幾何輪廓（見圖1所示）。表面微觀幾何輪廓的這種差異，直接導(dǎo)致了零件具有不同的使用性能。[2]

特種加工方法不僅拓展了材料的可加工性，提供了材料表面改性的有利手段，而且也對(duì)零件（產(chǎn)品）的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制造工藝路線的制定等產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。在傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)理念中，除非特殊需要，“方”孔（見圖2所示）一般被認(rèn)為是結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不合理。其主要原因在于傳統(tǒng)意義上的“孔”在幾何輪廓上被認(rèn)為是“圓”，因此，在加工上主要是采用“鉆”的加工手段。目前，特征加工方法對(duì)各種異型孔均可實(shí)現(xiàn)加工。與此同時(shí)，加工方法的改變，也使對(duì)事物的認(rèn)識(shí)得到深化。如，在傳統(tǒng)的機(jī)械設(shè)計(jì)與制造中，“孔”和“型腔”一般被認(rèn)為是不同的事物，但在特種加工技術(shù)產(chǎn)生后，不僅“孔”和“型腔”都?xì)w屬同一類（型腔被認(rèn)為是“各種形式的盲孔”），而且可加工各種彎孔，見圖2所示。

盡管圖2（e）所示的異型孔較為復(fù)雜，但利用零件幾何構(gòu)成要素分析原理的講解，應(yīng)引出“任何零件的型面都是由‘點(diǎn)’構(gòu)成的”這一重要結(jié)論；同時(shí)，不僅結(jié)合齒輪的展成法加工指出“點(diǎn)是零件型面成形的基礎(chǔ)”，而且還指出“點(diǎn)的加工是數(shù)控加工技術(shù)的基石”這一十分重要的結(jié)論。

“特種加工”課程的授課過程，不僅應(yīng)拓展學(xué)生的知識(shí)面，還應(yīng)結(jié)合學(xué)生現(xiàn)實(shí)生活中的實(shí)例提升或深化學(xué)生對(duì)基礎(chǔ)理論知識(shí)的理解。如：目前大學(xué)生每天都在使用手機(jī)或計(jì)算機(jī)，或者說幾乎每天都與電源插座的火花放電產(chǎn)生“親密”的接觸。當(dāng)長(zhǎng)期使用電源插座或插頭后，就會(huì)發(fā)現(xiàn)，原本光滑的金屬表面變得凹凸不平。雖然這一過程的表面現(xiàn)象是火花放電使原本光滑金屬表面的材料局部區(qū)域“增加”或“減少”，但卻可以反映加工的本質(zhì)，即“對(duì)破壞現(xiàn)象的有效利用可以實(shí)現(xiàn)加工”，或者說，“有規(guī)律的破壞就是加工”。

在上述加工本質(zhì)的講解中，實(shí)際上包含著辯證法的應(yīng)用。

二、特種加工教學(xué)中辯證思想的應(yīng)用

在“特種加工”課程的教學(xué)中，應(yīng)注重辯證思想的應(yīng)用。為此，特種加工中的各種加工方法的產(chǎn)生過程應(yīng)是授課的另一個(gè)核心內(nèi)容。通過“細(xì)節(jié)決定成敗，過程重于結(jié)果，辯證地分析問題”理念的闡述，可為學(xué)生提供良好的創(chuàng)新思維方向；同時(shí)，也有利于學(xué)生掌握各種特種加工方法內(nèi)在的規(guī)律。

1.充分利用對(duì)立統(tǒng)一規(guī)律

由于金屬的腐蝕現(xiàn)象幾乎無處不在，同時(shí)，其危害和損失巨大，因此，在常規(guī)條件下，并不希望金屬腐蝕現(xiàn)象產(chǎn)生，而且利用各種方法和手段（如陰極保護(hù)法、陽極保護(hù)法等）阻止金屬腐蝕現(xiàn)象發(fā)生。雖然，金屬腐蝕的機(jī)理十分復(fù)雜，但其表象卻是金屬表面材料的局部缺失，或者說是金屬表面材料局部區(qū)域的減少。由于零件的加工無非是構(gòu)成零件材料材質(zhì)的“增”或“減”，因此，金屬的腐蝕現(xiàn)象可用于加工，并逐步形成了化學(xué)銑削、化學(xué)拋光以及現(xiàn)代微細(xì)加工（微機(jī)械、微電子）技術(shù)的基本工藝方法之一的化學(xué)蝕刻技術(shù)。

2.充分利用矛盾的兩個(gè)方面

化學(xué)過程一般都有氧化和還原兩個(gè)過程，這是體現(xiàn)事物的兩個(gè)方面的一個(gè)典型實(shí)例。顯然，提高氧化和還原的速度，可以提高加工效率。雖然提高得失電子速度的途徑很多，但目前可利用外加電場(chǎng)的手段加快這一過程，這就是電化學(xué)加工方法的基本出發(fā)點(diǎn)。值得關(guān)注的是，電化學(xué)反應(yīng)過程中氧化過程是電解加工、電化學(xué)光整加工的基礎(chǔ)，而電化學(xué)反應(yīng)過程中的還原反應(yīng)則被有效利用于電鑄、電鍍乃至3D打印技術(shù)中。

3.強(qiáng)化“觀察現(xiàn)象，分析問題，變廢為寶”能力的培養(yǎng)

自遠(yuǎn)古時(shí)代，人類就注意到雷電的巨大破壞力，但將雷電形成過程用于加工則源于前蘇聯(lián)學(xué)者尤特金。20世紀(jì)30年代，當(dāng)尤特金觀察到白海海灣的巨雷掀起一股巨大的水柱后，便開始進(jìn)行水中放電的實(shí)驗(yàn)研究，最終形成了電水錘加工（也稱電液加工）方法，目前，電水錘加工被用于成型、破碎、清理以及清洗等諸多加工領(lǐng)域。

分析電水錘加工方法的產(chǎn)生過程，不難發(fā)現(xiàn)，與電火花加工以及電化學(xué)加工等方法類似，都是受破壞啟發(fā)而來，或者說，都有“變廢為寶”的基本思想。其基本出發(fā)點(diǎn)是辨證的觀點(diǎn)，即事物既有矛盾的方面，又有對(duì)立統(tǒng)一的一面。

特種加工中充滿了辯證的思想，也是機(jī)械加工技術(shù)中最能體現(xiàn)辨證法思想的課程。因此，在教學(xué)過程，不斷地引入辨證的思想，不僅可培養(yǎng)學(xué)生的創(chuàng)新能力，為創(chuàng)新提供一個(gè)方向，而且還可提高教學(xué)質(zhì)量，提升教學(xué)效果。

三、多元化教學(xué)手段在“特種加工”教學(xué)中的應(yīng)用

“特種加工”課程是一門涉及面廣、綜合性及工程背景強(qiáng)的課程。其授課內(nèi)容不僅涉及到物理、化學(xué)、材料、控制以及計(jì)算機(jī)等多門學(xué)科的基礎(chǔ)知識(shí)，還涉及到相關(guān)學(xué)科的最新成果及其應(yīng)用。顯然，采用多媒體教學(xué)可以緩解目前“特種加工”課程的教學(xué)所面臨諸如課時(shí)不斷被縮減，該領(lǐng)域新技術(shù)、新工藝又不斷涌現(xiàn)等矛盾。盡管多媒體教學(xué)具有授課內(nèi)容生動(dòng)、信息量大等優(yōu)勢(shì)，但單純采用多媒體教學(xué)，教學(xué)效果不會(huì)提高，反而下降。因此在特種加工的授課過程中應(yīng)采用多元化教學(xué)手段。

1.多媒體的應(yīng)用要合理

運(yùn)用多媒體教學(xué)，首要的工作是制作適合學(xué)生及教學(xué)的多媒體課件。為此，需注意：課件的背景及布局要合理，一些與課程內(nèi)容無關(guān)的圖片、動(dòng)畫內(nèi)容，盡可能少，建議采用白底黑字；每一頁中的授課內(nèi)容要精簡(jiǎn)，字體適中，條例清晰，重點(diǎn)突出，強(qiáng)化每頁之間的邏輯關(guān)系；翻頁的速度要適中，以便學(xué)生有足夠的時(shí)間閱讀、理解和記錄；便于引導(dǎo)學(xué)生思考。

2.要有一定的板書量

由于授課過程中受各種因素的影響，因此，在多媒體課件中不可能將所有問題都準(zhǔn)備齊全，因此，在授課過程中，應(yīng)提倡板書教學(xué)，以便對(duì)相關(guān)問題進(jìn)行詳細(xì)、充分的說明。

3.要安排學(xué)生講課，但量一定要適中

在教學(xué)過程中，為充分調(diào)動(dòng)學(xué)生的積極性，建議安排學(xué)生講解一定的相關(guān)內(nèi)容。這不僅能使學(xué)生的角色發(fā)生變化，由學(xué)的過程參與到教的過程，包括多媒體課件的制作等環(huán)節(jié)，而且學(xué)生還可在教的過程中鍛煉語言的表達(dá)能力以及提高自信心等，為以后的工作奠定良好的基礎(chǔ)。

4.課堂討論、辯論

本著“事辯則明”的思想，應(yīng)組織學(xué)生討論、辯論。解決問題的方案具有多樣性，不應(yīng)具有標(biāo)準(zhǔn)答案。根據(jù)課程的內(nèi)容，依據(jù)學(xué)生的興趣，自擬命題，組織學(xué)生討論。實(shí)踐表明，課堂討論、辯論不僅顯著地提高教學(xué)效果，而且還可提高學(xué)生查閱相關(guān)文獻(xiàn)、應(yīng)用相關(guān)文獻(xiàn)的能力。

5.強(qiáng)化實(shí)踐教學(xué)

在完成教學(xué)大綱要求的演示實(shí)驗(yàn)環(huán)節(jié)的基礎(chǔ)上，應(yīng)安排給學(xué)生一定量的親自動(dòng)手實(shí)驗(yàn)環(huán)節(jié)和自行設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)的環(huán)節(jié)。

參考文獻(xiàn)：